晶振 鐘振 晶體振蕩器 普通晶振
Crystal Oscillators
晶振,晶體振蕩器,普通晶振
一、石英晶體諧振器:
A、主要指標(biāo)
1.頻率 f
2.頻率公差
3.切型 AT BT SC
4.泛音次數(shù) 基頻 三次泛音 五次泛音 七次泛音
5.電阻 Rr RL
6.負(fù)載電容 CL
7.靜電容 Co
8.動(dòng)態(tài)電容 C1
9.電容比 r =Co / C1
10.頻率牽移 Ts ( ppm / pF )
11.Q值
12.DLD
13.老化
14.寄生抑制
15.頻率溫度特性（F-T）
B、有源晶振與無(wú)源晶振
石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用，是基于它的壓電效應(yīng)：在晶片的兩個(gè)極上加一電場(chǎng)，
會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形；在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)機(jī)械
變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)，雖然這種交變電場(chǎng)的電壓極其微弱，但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。
在電子學(xué)上，通常將含有晶體管元件的電路稱作“有源電路”（如有源音箱、有源濾波器等），
而僅由阻容元件組成的電路稱作“無(wú)源電路”。電腦中的晶體振蕩器也分為無(wú)源晶振和有源晶振兩種類型。無(wú)源晶振與有源晶振的英文名稱不同，無(wú)源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器）。無(wú)源晶振是有2個(gè)引腳的無(wú)極性元件，需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身無(wú)法振蕩起來，所以“無(wú)源晶振”這個(gè)說法并不準(zhǔn)確；有源晶振有4只引腳，是一個(gè)完整的振蕩器，其中除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件，因此體積較大。
二、晶體振蕩器:晶振,晶體振蕩器,普通晶振
A、晶體振蕩器是一種時(shí)間/頻率器件，由晶體諧振器和振蕩電路組成。
B、晶體振蕩器的分類:
按照其功能類型可分為四種：
SPXO 簡(jiǎn)單封裝晶體振蕩器
VCXO 電壓控制晶體振蕩器
TCXO 溫度控制晶體振蕩器 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
OCXO 恒溫晶體振蕩器 溫度控制晶體振蕩器
C、常規(guī)批量生產(chǎn)可達(dá)到的穩(wěn)定度：
SPXO VCXO TCXO OCXO
0 to 70℃ 10 ppm 10 ppm 0.1 ppm 0.005 ppm
-20 to 70℃ 25 ppm 25 ppm 0.3 ppm 0.01 ppm
-40 to 85℃ 30 ppm 30 ppm 0.5 ppm 0.03 ppm
-55 to 125℃ 50 ppm 50 ppm 1.0 ppm N/A
工作溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定度要求 典型應(yīng)用 振蕩器類型
±0.2ppm 電信傳輸設(shè)備的時(shí)鐘基準(zhǔn) OCXO
±0.2～±0.5ppm 電信傳輸設(shè)備的Stratum 3時(shí)鐘基準(zhǔn) OCXO,帶模擬集成電路的TCXO
±0.5～±1.0ppm **無(wú)線電設(shè)備,E-911蜂窩定位器 帶模擬集成電路的TCXO
±1.0～±2.5ppm 移動(dòng)無(wú)線電設(shè)備(例如應(yīng)急通信設(shè)備) 帶模擬集成電路的TCXO
±2.5～±10ppm 移動(dòng)電話 帶電熱調(diào)節(jié)的TCXO
±10～±20ppm 傳真機(jī) TCXO,VCXO,SPXO
> ±20ppm 計(jì)算機(jī)時(shí)鐘信號(hào)源 SPXO/XO
D、晶體振蕩器主要技術(shù)指標(biāo):
1）標(biāo)稱頻率
2）中心頻率偏差
3）頻率調(diào)整范圍（機(jī)械或壓控）
4）工作溫度范圍
5）壓控特性（電壓范圍、極性、線性度、壓控輸入阻抗）
6）輸出波形（正弦波； 方波：上升/下降沿時(shí)間、占空比、高/低電平）
7）工作電流、功耗
8）電壓變化頻率穩(wěn)定度
9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度
10）溫度頻率穩(wěn)定度
11）負(fù)載能力
12）頻率老化（長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定度）
13）短期頻率穩(wěn)定度
14）相位噪聲
15）開機(jī)特性
E、晶體振蕩器-SPXO:
簡(jiǎn)單封裝晶體振蕩器，沒有電壓控制和溫度補(bǔ)償，頻率溫度特性取決于晶體單元，
稱為SPXO（Simple Packaged Crystal Oscillator ）或時(shí)鐘（Clock）。
F、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器-TCXO:
1.直接溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
2.間接溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
G、恒溫晶體振蕩器 - OCXO
近年來，由于技術(shù)的發(fā)展，OCXO多采用功率器件直接加熱的方法，只有一些指標(biāo)要求很高的OCXO才使用恒溫槽。
H、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)
1）標(biāo)稱頻率（Nominal frequency）
振蕩器標(biāo)明的工作頻率。
2）中心頻率偏差 (Frequency accuracy)
在基準(zhǔn)點(diǎn)溫度環(huán)境（25 ± 2 ℃ ）和中心控制電壓時(shí)，測(cè)得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。
3）頻率調(diào)諧范圍（Frequency adjustment range）
用某種可變?cè)拐袷幤黝l率能夠改變的頻率范圍。
注：調(diào)整的目的：
1）把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。
2）由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后，能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。
調(diào)整的方式：
3）調(diào)節(jié)方式有機(jī)械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種
4）可變?cè)ǔＶ缸內(nèi)荻O管、多圈電位器等。
4）工作溫度范圍 (Operating temp. range)
振蕩器能夠正常工作，其頻率及其它輸出信號(hào)性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
注：1）工作溫度范圍的下限越低，振蕩器功耗越大，同時(shí)頻率溫度穩(wěn)定度越難實(shí)現(xiàn)。
2）工作溫度范圍的上限越高，晶體拐點(diǎn)設(shè)置越高， 晶體成本上升越多。
5）壓控特性（電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗）
當(dāng)控制電壓變化時(shí)，引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
注：1）電壓范圍：用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0～3.3V, 0.3～3.0V, 0～ 5V, 0.5～4.5V等。
2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時(shí)候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。
3）極性：當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時(shí)候，壓控極性為正極性，反之為負(fù)極性。
4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的， 但實(shí)際上總會(huì)有所偏差， 這個(gè)偏差就是
表征理想程度的壓控線性度， 通常用百分比表示。
5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號(hào)， 或者對(duì)輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí)， 通常振蕩器可以自己給
出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用， 這個(gè)精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。
6）輸出波形（Output waveform） 正弦: 負(fù)載能力
方波: 上升沿時(shí)間、下降沿時(shí)間、占空比、高/低電平
振蕩器工作時(shí)輸出的波形及波形的具體特性。
注：常見輸出波形及輸出特性指標(biāo)：
1）正弦波（Sine）：諧波抑制（Harmonic attenuation）、
雜波抑制（Noise attenuation ）、負(fù)載（Load）、輸出幅度（Output level）。
2）削峰正弦波（Clipping Sine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Output level）。
3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。
負(fù)載（Load）、占空比（Duty cycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/fall time）、
高低電平（“1” and “0” level）。
7）工作電流、功耗 (Input current, power consumption)
8）頻率溫度穩(wěn)定度 (Frequency stability over temp.)
其它條件不變時(shí)，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率偏移。
9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs voltage+/-5% )
其它條件不變時(shí)，由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的負(fù)載條件時(shí)的頻率偏移。
10）電源變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs Load+/-10% )
其它條件不變時(shí)，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的電源電壓時(shí)的頻率偏移。
11）老化率（長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定度）(Aging , long term stability)
振蕩器頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。
注: 這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長(zhǎng)期變化造成的，可以用規(guī)定時(shí)間間隔內(nèi)平均頻率的相對(duì)變化來表示。
頻率老化是不可避免的。同時(shí)方向可能為正也可能為負(fù)。
又稱為日老化率、長(zhǎng)穩(wěn)等。
12）短期頻率穩(wěn)定度(Short term stability)
振蕩器短時(shí)間內(nèi)的頻率隨機(jī)起伏程度。
注:以秒為單位，又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)
普通晶振 普通晶振 普通晶振
